直流溅射镀膜
依据直流辉光放电原理制造的镀膜装置统称为直流溅射镀膜装置，利用这种装置溅射的各种工艺统称为直流溅射镀膜工艺。
第一节 直流二极溅射装置
u电源采用直流。
u靶材必须是导体。
u靶上通以负高压。
u阴极靶与基片间的距离大于阴极暗区的3-4倍较为合适。
u直流二极溅射工作原理图：
第二节 偏压溅射装置
u与直流二极溅射的区别在于基片上施加一固定直流偏压。
u偏压使基片表面在薄膜沉积过程中，受到气体离子的稳定轰击，消除可能进入薄膜表面的气体，提高薄膜的纯度。
u偏压可以清除附着力较差的沉积粒子，可以在沉积之前对基片进行轰击清洗，净化表面，提高薄膜的附着力。
u偏压使荷能粒子（一般指正离子）不断地轰击正在形成的薄膜表面，一方面提高膜层的强度，另一方面降低了膜层的生成速度。
u偏压较大时，能产生少量非膜材离子（如氩离子）的参杂现象。为保证膜纯度，应选择适当的偏压值。
第三节 三极或四极溅射装置
u三极溅射是用热电子强化放电的一种方式，它能使溅射速率比二极溅射有所提高，又能使溅射工况的控制更方面。在二极溅射系统中提供一个热电子的源——一根发射自由热电子的帜热灯丝，当灯丝比靶电位更负的时候，电子朝向靶轰击，从而靶入射离子流增加，溅射量相应地增大。由于热电子的数量并不很大，不会引起靶材过分地加热。附加的热电子流，是靶电流的一个调整量，就是说，在二极溅射运行中，气压、电压和靶电流三个主要工艺参数中，电流可以独立于电压作一定程度的调整。三极溅射比二极溅射大于提高了一倍的溅射速率。
u四极溅射——等离子弧溅射
Ø 工作压强比二极溅射低（10-1——10-2Pa）。
Ø 靶电流几乎不随靶电压改变，而依赖于阳极电流，实现了靶电流和电压的分别控制。
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