目前靶材的制备主要有铸造法和粉末冶金法。
铸造法：将一定成分配比的合金原料熔炼，再将合金溶液浇注于模具中，形成铸锭，最后经机械加工制成靶材，铸造法在真空中熔炼、铸造。常用的熔炼方法有真空感应熔炼、真空电弧熔炼和真空电子轰击熔炼等，其优点是靶材杂质含量（特别是气体杂质含量）低，密度高，可大型化；缺点是对熔点和密度相差较大的两种或两种以上金属，普通熔炼法难以获得成分均匀的合金靶材。
粉末冶金法：将一定成分配比的合金原料熔炼，浇注成铸锭后再粉碎，将粉碎形成的粉末经等静压成形，再高温烧结，最终形成靶材，其优点是靶材成分均匀；缺点是密度低，杂质含量高等，常用的粉末冶金工艺包括冷压、真空热压和热等静压等。
一、根据不同材质靶材可分为：金属靶材，陶瓷（氧化物、氮化物等）靶材，合金靶材。
二、根据不同应用方向可分为（了解）
1、半导体关联靶材：
电极、布线薄膜：铝靶材，铜靶材，金靶材，银靶材，钯靶材，铂靶材，铝硅合金靶材，铝硅铜合金靶材等。
储存器电极薄膜：钼靶材，钨靶材，钛靶材等。
粘附薄膜：钨靶材，钛靶材等。
电容器绝缘膜薄膜：锆钛酸铅靶材等。
2、磁记录靶材：
垂直磁记录薄膜：钴铬合金靶材等。
硬盘用薄膜：钴铬钽合金靶材，钴铬铂合金靶材，钴铬钽铂合金靶材等。
薄膜磁头：钴钽铬合金靶材，钴铬锆合金靶材等。
人工晶体薄膜：钴铂合金靶材，钴钯合金靶材等。
3、光记录靶材：
相变光盘记录薄膜：硒化碲靶材，硒化锑靶材，锗锑碲合金靶材，锗碲合金靶材等。
磁光盘记录薄膜：镝铁钴合金靶材，铽镝铁合金靶材，铽铁钴合金靶材，氧化铝靶材，氧化镁靶材，氮化硅靶材等。
光盘反射薄膜：铝靶材，铝钛合金靶材，铝铬合金靶材，金靶材，金合金靶材等。
光盘保护薄膜：氮化硅靶材，氧化硅靶材，硫化锌靶材等。
4、显示靶材：
透明导电薄膜：氧化铟锡靶材，氧化锌铝靶材等。
电极布线薄膜：钼靶材，钨靶材，钛靶材，钽靶材，铬靶材，铝靶材，铝钛合金靶材，铝钽合金靶材等。
电致发光薄膜：硫化锌掺锰靶材，硫化锌掺铽靶材，硫化钙掺铕靶材，氧化钇靶材，氧化钽靶材，钛酸钡靶材等。
5、其他应用靶材：
装饰薄膜：钛靶材，锆靶材，铬靶材，钛铝合金靶材，不锈钢靶材等。
低电阻薄膜：镍铬合金靶材，镍铬硅合金靶材，镍铬铝合金靶材，镍铜合金靶材等。
超导薄膜：钇钡铜氧靶材，铋锶钙铜氧靶材等。
工具镀薄膜：氮化物靶材，碳化物靶材，硼化物靶材，铬靶材，钛靶材，钛铝合金靶材，锆靶材，石墨靶材等。
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