(l)基片表面的清洁
真空室内壁、基片架等表面的油污、锈迹、尘埃等在真空中极易蒸发，直接影响膜层的纯度和结合力，镀前必须清洁干净。
(2)镀膜前准备
1 镀膜室抽真空到10-3-10-2 Pa，对基片和镀料进行预处理。
①加热基片，其目的是去除水分和增强膜基结合力。在高真空下加热基片，除进一步干燥基片外，更重要的是使基片（工件）表面吸附的气体脱附，然后经真空泵抽气排出真空室，有利于提高镀膜室真空度、膜层纯度和膜基结合力。
②镀料预热，接通蒸发源，对镀料加热，先输入较低功率，使镀料脱水，脱气。为防止蒸发到基板上，用挡板遮盖蒸发源及源物质，然后输入较大功率，将镀料迅速加热到蒸发温度，蒸镀时再移开挡板。
(3)蒸镀
在蒸镀阶段除要选择适当的基片温度、镀料蒸发温度外，沉积气压是一个很重要的参数。沉积气压即镀膜室的真空度高低，决定了蒸镀空间气体分子运动的平均自由程和一定蒸发距离（源物质到基板表面）下的蒸气与残存气体原子及蒸气原子之间的碰撞次数。
(4)取件
膜层厚度达到要求以后，用挡板盖住蒸发源并停止加热，但不要马上导入空气，需在真空条件下继续冷却l5-30 min，降温到100℃左右，防止镀层、剩余镀料及电阻、蒸发源等被氧化，然后停止抽气，导入空气，取出镀件。
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